本文標(biāo)題："關(guān)于近場光學(xué)顯微鏡在微電子技術(shù)方面的運(yùn)用"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 技術(shù)文章 ------ 人瀏覽過 -----時間：2014-4-18 10:42:41

關(guān)于近場光學(xué)顯微鏡在微電子技術(shù)方面的運(yùn)用

信息的高密度存儲是信心技術(shù)的主要部分，因為近場光學(xué)顯微鏡對環(huán)境的條件需
求比較低，則擁有良好的光盤技術(shù)的底子，所以它已經(jīng)成為了不同種類近場高密
度信息存儲技術(shù)的比較強(qiáng)大，有潛力的競爭者。目前，提升信息存儲密度是研發(fā)
與工業(yè)界更為重視的一大核心，光學(xué)和磁光讀寫方式使用的是遠(yuǎn)揚(yáng)技術(shù)，因為受
衍射大限度的控制，斑的讀寫尺寸被控制在1毫米左右，存儲密度約大概在55
55 Mbit/cm2左右，利用較短的激光波會對存儲密度的提高不大，則近場光學(xué)的
發(fā)展提供了一種新的原理，因為掃描近場光學(xué)顯微可以突破衍射大限度的控制
然而大大的增大了存儲的密度，利用近場技術(shù)，可將斑的尺寸讀寫為20納米，儲
存密度可以提高到125 Gbit/cm2。

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